Un equipo de cient\u00edficos de la Universidad de Fudan, China, liderado por el profesor Zhou Peng y Liu Chunsen, ha logrado un avance monumental en la tecnolog\u00eda de memoria, presentando un dispositivo de memoria flash capaz de realizar la asombrosa cifra de 25 mil millones de operaciones por segundo.<\/p>\n\n\n\n
Este logro sin precedentes, detallado en la prestigiosa revista Nature, redefine los l\u00edmites de la velocidad en el almacenamiento de informaci\u00f3n y promete revolucionar el futuro de la computaci\u00f3n, especialmente en el campo de la inteligencia artificial.<\/p>\n\n\n\n
Bautizado como \u00abPoX\u00bb (o \u00abPoxiao\u00bb en algunas referencias), este innovador dispositivo de memoria flash opera a una velocidad de programaci\u00f3n de tan solo 400 picosegundos (0.0000000004 segundos). Para poner esto en perspectiva, un pendrive USB convencional puede realizar alrededor de mil operaciones por segundo, y el r\u00e9cord mundial anterior para una tecnolog\u00eda similar era de aproximadamente dos millones de operaciones por segundo.<\/p>\n\n\n\n
La memoria PoX supera este r\u00e9cord por un factor de 100.000, estableci\u00e9ndose como la memoria de carga de semiconductores m\u00e1s r\u00e1pida conocida hasta la fecha.<\/p>\n\n\n\n
El secreto detr\u00e1s de esta velocidad radica en una reconfiguraci\u00f3n fundamental de la estructura de la memoria flash tradicional. En lugar de los canales de silicio convencionales, los investigadores utilizaron grafeno de Dirac bidimensional, aprovechando sus propiedades de transporte bal\u00edstico de carga. Esto permite que los electrones alcancen velocidades extremadamente altas de manera casi instant\u00e1nea, sin el \u00abcalentamiento\u00bb o la aceleraci\u00f3n gradual que limitaba las memorias flash anteriores.<\/p>\n\n\n\n
El equipo tambi\u00e9n emple\u00f3 optimizaci\u00f3n de procesos basada en inteligencia artificial para llevar la memoria no vol\u00e1til a su l\u00edmite te\u00f3rico.<\/p>\n\n\n\n
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