Un equipo de científicos de la Universidad de Fudan, China, liderado por el profesor Zhou Peng y Liu Chunsen, ha logrado un avance monumental en la tecnología de memoria, presentando un dispositivo de memoria flash capaz de realizar la asombrosa cifra de 25 mil millones de operaciones por segundo.
Este logro sin precedentes, detallado en la prestigiosa revista Nature, redefine los límites de la velocidad en el almacenamiento de información y promete revolucionar el futuro de la computación, especialmente en el campo de la inteligencia artificial.
Bautizado como «PoX» (o «Poxiao» en algunas referencias), este innovador dispositivo de memoria flash opera a una velocidad de programación de tan solo 400 picosegundos (0.0000000004 segundos). Para poner esto en perspectiva, un pendrive USB convencional puede realizar alrededor de mil operaciones por segundo, y el récord mundial anterior para una tecnología similar era de aproximadamente dos millones de operaciones por segundo.
La memoria PoX supera este récord por un factor de 100.000, estableciéndose como la memoria de carga de semiconductores más rápida conocida hasta la fecha.
El secreto detrás de esta velocidad radica en una reconfiguración fundamental de la estructura de la memoria flash tradicional. En lugar de los canales de silicio convencionales, los investigadores utilizaron grafeno de Dirac bidimensional, aprovechando sus propiedades de transporte balístico de carga. Esto permite que los electrones alcancen velocidades extremadamente altas de manera casi instantánea, sin el «calentamiento» o la aceleración gradual que limitaba las memorias flash anteriores.
El equipo también empleó optimización de procesos basada en inteligencia artificial para llevar la memoria no volátil a su límite teórico.
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